Vytlačiť stránku
STW45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTW45N65M5
Objednávací kód2784047
SortimentMDmesh V
Karta technických údajov
3 903 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 5,730 € |
| 5+ | 4,990 € |
| 10+ | 4,250 € |
| 50+ | 3,910 € |
| 100+ | 3,780 € |
| 250+ | 3,640 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
5,73 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTW45N65M5
Objednávací kód2784047
SortimentMDmesh V
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
- 650V, 35A N-channel MDmesh™ V power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Worldwide best RDS(on) area
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
- Suitable for switching applications
- Based on innovative proprietary vertical process technology, PowerMESH™ horizontal layout structure
- Suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre STW45N65M5
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000002
Sledovateľnosť produktu