Vytlačiť stránku
VNS1NV04DPTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkyVNS1NV04DPTR-E
Objednávací kód2341721
Karta technických údajov
19 466 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,350 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,820 € |
| 500+ | 0,797 € |
| 1000+ | 0,774 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
1,35 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkyVNS1NV04DPTR-E
Objednávací kód2341721
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Aplikácie
Industrial
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
4W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre VNS1NV04DPTR-E
Počet nájdených produktov: 1
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000319