Vytlačiť stránku
IRFB11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
279 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 2,770 € |
| 10+ | 1,440 € |
| 100+ | 1,190 € |
| 500+ | 1,020 € |
| 1000+ | 1,010 € |
| 5000+ | 0,990 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
2,77 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkyIRFB11N50APBF
Objednávací kód8648700
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
Power MOSFET suitable for use in switch mode power supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching. Applicable for line SMPS tropologies are two transistor forward, half and full bridge and power factor correction boost.
- Low gate charge Qi results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dot ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Israel
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Israel
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000151
Sledovateľnosť produktu