Vytlačiť stránku
SI4825DDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 14.9 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
7 908 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 0,595 € |
| 500+ | 0,465 € |
| 1000+ | 0,415 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
64,50 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySI4825DDY-T1-GE3
Objednávací kód1858962RL
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id14.9A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The SI4825DDY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and notebook adaptor switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplikácie
Industrial, Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14.9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre SI4825DDY-T1-GE3
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0005
Sledovateľnosť produktu