Vytlačiť stránku
SIA931DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
261 595 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,552 € |
| 10+ | 0,414 € |
| 100+ | 0,309 € |
| 500+ | 0,224 € |
| 1000+ | 0,173 € |
| 5000+ | 0,157 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
2,76 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySIA931DJ-T1-GE3
Objednávací kód2400374
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® gen III power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
Aplikácie
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.002