Vytlačiť stránku
SIZ980BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySIZ980BDT-T1-GE3
Objednávací kód3368951RL
SortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Karta technických údajov
11 794 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 0,910 € |
| 500+ | 0,666 € |
| 1000+ | 0,603 € |
| 5000+ | 0,523 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
96,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySIZ980BDT-T1-GE3
Objednávací kód3368951RL
SortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id197A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel197A
Continuous Drain Current Id P Channel197A
Drain Source On State Resistance N Channel817µohm
Drain Source On State Resistance P Channel817µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel66W
Power Dissipation P Channel66W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Prehľad produktu
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
197A
Drain Source On State Resistance P Channel
817µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
66W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
197A
Continuous Drain Current Id N Channel
197A
Drain Source On State Resistance N Channel
817µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre SIZ980BDT-T1-GE3
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000001
Sledovateľnosť produktu