Vytlačiť stránku
SUD50N04-8M8P-4GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
49 015 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 0,796 € |
| 10+ | 0,704 € |
| 100+ | 0,557 € |
| 500+ | 0,509 € |
| 1000+ | 0,503 € |
| 5000+ | 0,496 € |
Minimum: 1
Viacero: 1
0,80 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySUD50N04-8M8P-4GE3
Objednávací kód1794799
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance8800µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation48.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The SUD50N04-8M8P-4GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display, DC to DC converter and full bridge converter applications.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- PWM Optimised
Aplikácie
Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre SUD50N04-8M8P-4GE3
Našlo sa 8 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0003