Vytlačiť stránku
VS-FC420SA10
MOSFET Transistor, N Channel, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkyVS-FC420SA10
Objednávací kód3513307
SortimentTrenchFET Series
Karta technických údajov
842 Na Sklade
640 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 23,760 € |
| 5+ | 22,220 € |
| 10+ | 20,680 € |
| 50+ | 19,130 € |
| 100+ | 17,590 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
23,76 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkyVS-FC420SA10
Objednávací kód3513307
SortimentTrenchFET Series
Karta technických údajov
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.00215ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation652W
Power Dissipation Pd652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Prehľad produktu
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technické údaje
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.00215ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation Pd
652W
Product Range
TrenchFET Series
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.04
Sledovateľnosť produktu