Vytlačiť stránku
VSMY2853G
Infrared Emitter, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
24 021 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 0,809 € |
| 10+ | 0,595 € |
| 25+ | 0,571 € |
| 50+ | 0,547 € |
| 100+ | 0,432 € |
| 500+ | 0,364 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
0,81 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkyVSMY2853G
Objednávací kód2504167
Karta technických údajov
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity28°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Prehľad produktu
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
Technické údaje
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
28°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000016
Sledovateľnosť produktu