Vytlačiť stránku
AUIRFB8409
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, TO-220AB, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyAUIRFB8409
Objednávací kód2352028
Známy ako ajSP001521544
Karta technických údajov
2 918 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
K dispozícii do vyčerpania zásob
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 7,600 € |
| 5+ | 7,170 € |
| 10+ | 6,730 € |
| 50+ | 6,050 € |
| 100+ | 5,930 € |
| 250+ | 5,810 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
7,60 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyAUIRFB8409
Objednávací kód2352028
Známy ako ajSP001521544
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
Alternatívy pre AUIRFB8409
Našlo sa 6 produktov
Prehľad produktu
The AUIRFB8409 is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
- Advanced process technology
- New ultra low on-resistance
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Automotive qualified
- 175°C Operating temperature
Aplikácie
Automotive
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00195
Sledovateľnosť produktu