Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSC060N10NS3GATMA1
Objednávací kód2432708
Známy ako ajBSC060N10NS3 G, SP000446584
Karta technických údajov
26 163 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
Množstvo | |
---|---|
1+ | 1,690 € |
10+ | 1,170 € |
100+ | 1,020 € |
500+ | 0,838 € |
1000+ | 0,765 € |
5000+ | 0,703 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
1,69 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSC060N10NS3GATMA1
Objednávací kód2432708
Známy ako ajBSC060N10NS3 G, SP000446584
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The BSC060N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
Aplikácie
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre BSC060N10NS3GATMA1
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0005
Sledovateľnosť produktu