Vytlačiť stránku
BSO080P03SHXUMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSO080P03SHXUMA1
Objednávací kód2480750
Známy ako ajBSO080P03S H, SP000613798
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 2,010 € |
| 10+ | 1,460 € |
| 100+ | 1,040 € |
| 500+ | 0,828 € |
| 1000+ | 0,776 € |
| 5000+ | 0,667 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
2,01 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSO080P03SHXUMA1
Objednávací kód2480750
Známy ako ajBSO080P03S H, SP000613798
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12.6A
Drain Source On State Resistance6700µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.79W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The BSO080P03S H is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplikácie
Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.79W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
6700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (3)
Alternatívy pre BSO080P03SHXUMA1
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0005
Sledovateľnosť produktu