Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSZ067N06LS3GATMA1
Objednávací kód2212830
Známy ako ajBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Karta technických údajov
39 525 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
Množstvo | |
---|---|
1+ | 1,250 € |
10+ | 0,933 € |
100+ | 0,710 € |
500+ | 0,561 € |
1000+ | 0,482 € |
5000+ | 0,447 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,25 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyBSZ067N06LS3GATMA1
Objednávací kód2212830
Známy ako ajBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The BSZ067N06LS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplikácie
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Consumer Electronics, Portable Devices, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre BSZ067N06LS3GATMA1
Našlo sa 3 produktov
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000097