Vytlačiť stránku
FP25R12W2T4
IGBT Module, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyFP25R12W2T4
Objednávací kód1833566
Známy ako ajSP000307561
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Štandardná dodacia lehota výrobcu: Počet týždňov: 13
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 54,700 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
54,70 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyFP25R12W2T4
Objednávací kód1833566
Známy ako ajSP000307561
Karta technických údajov
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationPIM
DC Collector Current25A
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation175W
Power Dissipation Pd175W
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins23Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Prehľad produktu
The FP25R12W2T4 is an EasyPIM™ 2B PIM IGBT Module with fast Trench/field-stop IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.
- High power density
- Established easy module concept
- Integrated temperature sensor available
- Low stray inductance module design
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Aplikácie
Motor Drive & Control, Power Management, Medical, Alternative Energy
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
25A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
175W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
23Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
IGBT Configuration
PIM
Continuous Collector Current
25A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
175W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4
Product Range
-
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre FP25R12W2T4
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.039