Vytlačiť stránku
IMBG120R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIMBG120R140M1HXTMA1
Objednávací kód3582465
SortimentCoolSiC Trench Series
Známy ako ajIMBG120R140M1H, SP004463792
Karta technických údajov
17 Na Sklade
1 000 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 5,140 € |
| 10+ | 4,100 € |
| 100+ | 3,350 € |
| 500+ | 2,940 € |
| 1000+ | 2,930 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
5,14 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIMBG120R140M1HXTMA1
Objednávací kód3582465
SortimentCoolSiC Trench Series
Známy ako ajIMBG120R140M1H, SP004463792
Karta technických údajov
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.189ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.189ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
107W
Product Range
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Súvisiace produkty
Našlo sa 4 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001588
Sledovateľnosť produktu