Vytlačiť stránku
IPB042N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPB042N10N3GATMA1
Objednávací kód2443431RL
Známy ako ajIPB042N10N3 G, SP000446880
Karta technických údajov
2 695 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 50+ | 1,240 € |
| 200+ | 1,130 € |
| 500+ | 0,932 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
129,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPB042N10N3GATMA1
Objednávací kód2443431RL
Známy ako ajIPB042N10N3 G, SP000446880
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
100V Optima's™ 3 power-transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification.
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Excellent switching performance
- World’s lowest R DS(on)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre IPB042N10N3GATMA1
Našlo sa 4 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00181
Sledovateľnosť produktu