Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD031N03LGATMA1
Objednávací kód1775565
Známy ako ajIPD031N03L G, SP000680554
Karta technických údajov
396 Na Sklade
2 500 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
Množstvo | |
---|---|
1+ | 0,574 € |
10+ | 0,463 € |
100+ | 0,413 € |
500+ | 0,409 € |
1000+ | 0,401 € |
5000+ | 0,390 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
0,57 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD031N03LGATMA1
Objednávací kód1775565
Známy ako ajIPD031N03L G, SP000680554
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The IPD031N03L G is a 30V N-channel Power MOSFET for switched mode power supplies (SMPS). OptiMOS™ 30V MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. This is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour as well as increased battery life.
- Fast switching MOSFET
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Superior thermal resistance
Aplikácie
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Motor Drive & Control, LED Lighting
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre IPD031N03LGATMA1
Našlo sa 7 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000381