Vytlačiť stránku
IPD60R750E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD60R750E6ATMA1
Objednávací kód2764859
SortimentCoolMOS E6
Známy ako ajIPD60R750E6, SP001117728
Karta technických údajov
Možnosti balenia
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD60R750E6ATMA1
Objednávací kód2764859
SortimentCoolMOS E6
Známy ako ajIPD60R750E6, SP001117728
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance0.68ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS E6
Qualification-
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.68ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS E6
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000426