Vytlačiť stránku
IPD70R900P7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD70R900P7SAUMA1
Objednávací kód2803397
SortimentCoolMOS P7
Známy ako ajIPD70R900P7S, SP001491638
Karta technických údajov
1 378 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 0,536 € |
| 10+ | 0,448 € |
| 100+ | 0,338 € |
| 500+ | 0,300 € |
| 1000+ | 0,272 € |
| 5000+ | 0,193 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
0,54 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIPD70R900P7SAUMA1
Objednávací kód2803397
SortimentCoolMOS P7
Známy ako ajIPD70R900P7S, SP001491638
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
Prehľad produktu
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000907
Sledovateľnosť produktu