Vytlačiť stránku
IRF3205ZLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF3205ZLPBF
Objednávací kód2579973
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001564660
Karta technických údajov
1 925 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
K dispozícii do vyčerpania zásob
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,790 € |
| 10+ | 1,410 € |
| 100+ | 1,140 € |
| 500+ | 0,922 € |
| 1000+ | 0,822 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,79 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF3205ZLPBF
Objednávací kód2579973
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001564660
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Prehľad produktu
IRF3205ZLPBF is a HEXFET® Power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This feature combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Fast switching, repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Drain-to-source breakdown voltage is 55V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 4.9mohm (typ, VGS = 10V, ID = 66A, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA (max, VDS = 55V, VGS = 0, TJ = 25°C)
- Gate-to-source charge is 21nC (typ, VDS = 44V, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 18ns (typ, VDD = 28, TJ = 25°C)
- Fall time is 67ns (typ, VGS = 10V, TJ = 25°C)
- Reverse recovery time is 28ns (typ, TJ = 25°C, IF = 66A, VDD = 25V)
- TO-262 package, operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
Technické dokumenty (2)
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001225