Vytlačiť stránku
IRF540NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF540NPBF
Objednávací kód8648298
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001561906
Karta technických údajov
83 906 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,608 € |
| 500+ | 0,511 € |
| 1000+ | 0,476 € |
| 5000+ | 0,435 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,07 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF540NPBF
Objednávací kód8648298
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001561906
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in 3 pin TO-220AB package. It utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs which are well known for the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On-resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Aplikácie
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Alternatívy pre IRF540NPBF
Počet nájdených produktov: 1
Súvisiace produkty
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.002712