Vytlačiť stránku
3 255 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
Množstvo | |
---|---|
1+ | 1,870 € |
10+ | 1,550 € |
100+ | 1,290 € |
500+ | 1,050 € |
1000+ | 1,000 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
1,87 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF6613TRPBF
Objednávací kód2579976
SortimentHEXFET
Známy ako ajSP001526876
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
Transistor Case StyleDirectFET MT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.25V
Power Dissipation89W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
Prehľad produktu
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MT package. The device is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Application specific MOSFETs
- Ideal for CPU Core DC-DC converters
- Low conduction losses
- High Cdv/dt immunity
- Dual-side cooling capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard qualification level
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
DirectFET MT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.25V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (3)
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Mexico
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0001
Sledovateľnosť produktu