Vytlačiť stránku
IRLML5203TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRLML5203TRPBF
Objednávací kód9103511
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001558846
Karta technických údajov
82 480 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 50+ | 0,283 € |
| 250+ | 0,180 € |
| 1000+ | 0,114 € |
| 3000+ | 0,0924 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
2,24 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRLML5203TRPBF
Objednávací kód9103511
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001558846
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The IRLML5203PBF is -30V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching, as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications like battery management, portable electronics, PCMCIA cards and ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 98mohm at Vgs -10V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3A at vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre IRLML5203TRPBF
Našlo sa 3 produktov
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000033
Sledovateľnosť produktu