Vytlačiť stránku
SPD04N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkySPD04N80C3ATMA1
Objednávací kód1664108
Známy ako ajSPD04N80C3, SP001117768
Karta technických údajov
6 037 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,788 € |
| 50+ | 0,663 € |
| 100+ | 0,655 € |
| 500+ | 0,651 € |
| 1000+ | 0,638 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
3,94 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkySPD04N80C3ATMA1
Objednávací kód1664108
Známy ako ajSPD04N80C3, SP001117768
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
SPD04N80C3ATMA1 is a CoolMOS™ power transistor. It is designed for industrial applications with high DC bulk voltage, and switching applications ( i.e. active clamp forward ). Potential applications are consumer, PC power, adapter, lighting, and solar.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dv/dt rated, high peak current capability
- Fully qualified according to JEDEC for industrial applications
- Ultra low gate charge, ultra low effective capacitances
- High efficiency and power density, outstanding cost/performance
- High reliability, ease-of-use
- Drain-source breakdown voltage is 800V at VGS=0V, I D=250µA
- Drain-source on-state resistance is 1.3ohm at VGS=10V, I D=2.5A, Tj=25°C
- Gate charge total is 23nC typ at VDD=640V, ID=4A, VGS=0 to 10V
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre SPD04N80C3ATMA1
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0003
Sledovateľnosť produktu