Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
3 000 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
Množstvo | |
---|---|
3000+ | 0,108 € |
9000+ | 0,0948 € |
Cena za:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Viacero: 3000
324,00 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaNEXPERIA
Výrobcovo č. položkyPMD3001D,115
Objednávací kód2439635
Karta technických údajov
Channel Type-
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
Aplikácie
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Industrial
Technické údaje
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001
Sledovateľnosť produktu