Vytlačiť stránku
PMF170XP,115
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
23 273 Na Sklade
3 000 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,264 € |
| 10+ | 0,189 € |
| 100+ | 0,120 € |
| 500+ | 0,0743 € |
| 1000+ | 0,0655 € |
| 5000+ | 0,042 € |
Cena za:Each
Minimum: 5
Viacero: 5
1,32 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaNEXPERIA
Výrobcovo č. položkyPMF170XP,115
Objednávací kód2069557
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
PMF170XP,115 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low RDSon, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is -20V min at ID=-250µA; VGS=0V; Tj=25°C
- Gate-source threshold voltage is -0.9V typ at ID=-250µA; VDS=VGS; Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 175mohm typ at VGS=-4.5V; ID=-1A; Tj=25°C
- Total gate charge is 2.6nC typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;Tj=25°C
- Source-drain voltage is -0.7V min at IS=-0.4A; VGS=0V; Tj=25°C
- Rise time is 16ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Fall time is 13ns typ at VDS=-10V; ID=-1A; VGS=-4.5V;RG(ext)=6ohm; Tj=25°C
- Output capacitance is 43pF typ at VDS=-10V; f=1MHz; VGS=0V;Tj= 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000198
Sledovateľnosť produktu