Vytlačiť stránku
PMXB40UNEZ
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
15 086 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,431 € |
| 50+ | 0,242 € |
| 250+ | 0,172 € |
| 1000+ | 0,101 € |
| 3000+ | 0,0958 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
2,16 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaNEXPERIA
Výrobcovo č. položkyPMXB40UNEZ
Objednávací kód2498585
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleDFN1010D
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The PMXB40UNE is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1.5kV ESD protection HBM
- 34mΩ Very low Drain-Source ON-state resistance RDS (ON)
- Very low threshold voltage of 0.65V for portable applications
- -55 to 150°C Junction temperature range
Aplikácie
Power Management, Portable Devices, LED Lighting, Industrial
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
DFN1010D
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000006
Sledovateľnosť produktu