Vytlačiť stránku
SKM100GB125DN
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
2 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 189,760 € |
| 5+ | 178,860 € |
| 10+ | 167,260 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
189,76 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSEMIKRON
Výrobcovo č. položkySKM100GB125DN
Objednávací kód2423681
Karta technických údajov
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prehľad produktu
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
Aplikácie
Power Management, Industrial
Upozornenia
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device however ESD packaging is not necessary. Due to technical requirements, component may contain dangerous substances.
Technické údaje
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Technické dokumenty (1)
Súvisiace produkty
Našlo sa 4 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Italy
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Italy
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.18
Sledovateľnosť produktu